名古屋工業大学

南條 研究室

名古屋工業大学 電気・機械工学専攻 電気電子分野

極微デバイス次世代材料研究センター

南條 研究室

作製したAlGaN/GaN HEMT

研究室の取り組みについて

ワイドバンドギャップ半導体であるGaNやAlN、これらの混晶系であるAlGaN（窒化物系半導体）は、 優れた物性を有するだけではなく、これらを組合せることで様々な機能を付加することができることから、 次世代の高性能デバイスの材料として注目を集めています。 世の中で広く知られている半導体材料であるシリコンにはない性質で、とても興味深い半導体材料です。 当研究室では、この窒化物半導体を組合せた際に発生する二次元電子ガス（2DEG）をキャリアとして用いた高電子移動度トランジスタ （HEMT：High Electron Mobility Transistor）の研究開発を進めています。

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